[10a-F211-1~8] 13.3 絶縁膜技術

10:00 〜 10:15

[10a-F211-5] MOS構造におけるSiO₂の絶縁破壊機構の整理 （II）
- 電流注入の方向による違いについて -

〇鳥海 明¹ (1.自由業)

キーワード：

シリコン酸化膜、絶縁破壊

MOS構造におけるSiO2の絶縁破壊に関して、印加する電界の向きによってなぜ絶縁破壊耐性に差があるかを議論する