講演情報
[10a-F211-7]大気圧低温プラズマジェットにより誘起されるポリシラザン由来SiO2の
界面駆動型自己組織化とSi基板結晶方位依存性
〇酒池 耕平1、東 清一郎2 (1.広島商船高専、2.広大院 先進理工)
キーワード：
SiO2、ポリシラザン、界面駆動型自己組織化
これまでに、PHPS薄膜へアルゴン(Ar)と水蒸気混合ガスの低温プラズマジェットを照射することで、65℃以下で1000℃熱酸化膜に近い電気絶縁特性を有するSiO2薄膜の形成に成功している。また、PHPS/Si界面のSi-O-Si結合角情報を起点に構造秩序が伝播する界面駆動型自己組織化（IDSO）モデルを提唱してきた。一方、IDSOがSi基板の結晶方位に対して普遍的に成立するかは未解明である。そこで本研究では、Si(100)、Si(110)及びSi(111)基板上にPHPS由来SiO2薄膜を形成し、IDSOプロセスの結晶方位依存性を検討した。