講演情報
[10a-F211-8]LPCVD SiN 膜における界面酸化膜のXPS解析
〇(M1C)武田 成瑚1、宮川 勇人1、高橋 尚志1、栗田 久嗣2、中村 真貴2、神垣 良昭3 (1.香川大学、2.ローム 浜松工場、3.EBL)
キーワード：
窒化膜、X線光電子分光法、絶縁破壊
LPCVD SiN膜はIC内の絶縁膜やキャパシタ膜、メモリの電荷捕獲層として応用上重要であり、高耐久化に向け電界破壊メカニズムの解明が求められている。本研究では、LPCVD成膜前のSi界面に人為的に形成した熱酸化膜厚を変化させた試料を作製し、X線光電子分光法（XPS）による界面近傍の結合状態の成分分離の解析から、熱酸化膜がある場合は窒素がより基板側に分布する様子などが得られた。