講演情報
[10a-N101-11]高Si濃度スパッタ n⁺-GaNトンネル層によるナノワイヤレーザ用トンネル接合の低抵抗化
〇手島 弘喜1、山田 航己1、高橋 拓也1、堀田 陽生1、澤崎 晴喜1、鈴木 ひまり1、丹羽 一将2、難波江 宏一2、飯浜 準也3、楠瀬 好郎3、召田 雅実3、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.E＆E エボリューション（株）、3.東ソー（株）)
キーワード：
ナノワイヤレーザ、トンネル接合、n⁺-GaNスパッタ成長
GaNナノワイヤレーザの低駆動電圧化を目的として、本研究では、水素を用いないスパッタ成長によるn⁺-GaNトンネル層の形成を検討した。先行研究ではSi濃度10²⁰ cm⁻³ターゲットを用いたn⁺-GaN層の導入により駆動電圧低減を確認したが、成膜後のキャリア濃度は10¹⁹ cm⁻³程度に留まっていた。そこでさらなる高キャリア濃度化および低抵抗化を目的として、Si濃度10²¹ cm⁻³ターゲットを用いたn⁺-GaN層を形成し、従来試料との比較評価を行った。