[10a-N101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶 | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-N101-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶

2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:00

N101 (総合教育棟 N棟)

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[10a-N101-1]低温スパッタ法によるSiドープAlNの成長温度依存性

〇小坂鷹生¹、上野耕平¹、藤岡洋¹ (1.東大生研)

9:15 〜 9:30

[10a-N101-2]スパッタ法によるAl_0.9Ga_0.1NチャネルHFETの作製と評価

〇小坂鷹生¹、上野耕平¹、藤岡洋¹ (1.東大生研)

9:30 〜 9:45

[10a-N101-3]1～3 µm帯赤外GaN系量子カスケードレーザの構造設計に関する一検討

〇野中千輝^1,2、矢部航輝^1,2、藤川紗千恵^2,1、矢口裕之²、平山秀樹¹ (1.理研、2.埼玉大院理工)

9:45 〜 10:00

[10a-N101-4]高次準位の影響を考慮した GaN 系THz量子カスケードレーザの量子構造設計

〇矢部航輝^1,2、野中千輝^1,2、石田峻之¹、藤川紗千恵^2,1、矢口裕之²、平山秀樹¹ (1.理研、2.埼玉大)

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[10a-N101-5]スパッタ・アニール法AlNテンプレート上への薄膜AlN/GaN HEMT作製

〇安井幹薫¹、赤池良太^1,2、安永弘樹^2,3、正直花奈子^1,2、三宅秀人^1,2 (1.三重大院工、2.三重大半導体・デジタル未来創造センター、3.三重大研究基盤推進機構)

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[10a-N101-6]スパッタ・アニール法を用いたN極性AlNのスパッタ条件依存性

〇玉野智大¹、正直花奈子^1,2、赤池良太^1,2、安永弘樹^2,3、三宅秀人^1,2 (1.三重大院工、2.三重大半導体・デジタル未来創造センター、3.三重大研究基盤推進機構)

10:45 〜 11:00

[10a-N101-7]RF-MBE法によるScAlMgO4基板上InGaN成長におけるInフラックス依存性

〇加藤大奨¹、西村佳晃¹、中本トラン²、Islam Md Earul³、藤井高志³、福田承生⁴、杉江隆一¹、荒木努¹ (1.立命大理工、2.R-GIRO、3.立命館大総研、4.福田結晶技術研)

11:00 〜 11:15

[10a-N101-8]ナノインプリントリソグラフィを用いたナノテンプレート選択成長法によるAlN/Si(111)基板全面への赤色発光窒化物ナノコラム成長

〇織間裕悟¹、星野航太¹、富樫理恵¹、岸野克巳¹ (1.上智大理工)

11:15 〜 11:30

[10a-N101-9]ナノテンプレート選択成長法による多色集積型ナノコラム結晶の成長

〇石川慧¹、富樫理恵¹、岸野克巳¹ (1.上智大理工)

11:30 〜 11:45

[10a-N101-10]GaInN高効率赤色発光に向けた3次元ナノ構造の製作とその有効性

〇加藤木巧斗¹、山口智広¹、進藤隆太¹、石川慧²、本田徹¹、尾沼猛儀¹、富樫理恵²、岸野克巳² (1.工学院大学、2.上智大学)

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[10a-N101-11]高Si濃度スパッタ n⁺-GaNトンネル層によるナノワイヤレーザ用トンネル接合の低抵抗化

〇手島弘喜¹、山田航己¹、高橋拓也¹、堀田陽生¹、澤崎晴喜¹、鈴木ひまり¹、丹羽一将²、難波江宏一²、飯浜準也³、楠瀬好郎³、召田雅実³、上山智¹、竹内哲也¹、岩谷素顕¹ (1.名城大学、2.E＆E　エボリューション（株）、3.東ソー（株）)

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