2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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2026年9月8日 (火)
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9:15 〜 9:30
[10a-N101-2]
スパッタ法によるAl
0.9
Ga
0.1
NチャネルHFETの作製と評価
〇小坂 鷹生
1
、上野 耕平
1
、藤岡 洋
1
(1.東大生研)
キーワード：
窒化アルミニウム、スパッタリング、HEMT
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