講演情報
[10a-N101-4]高次準位の影響を考慮した GaN 系THz量子カスケードレーザの量子構造設計
〇矢部 航輝1,2、野中 千輝1,2、石田 峻之1、藤川 紗千恵2,1、矢口 裕之2、平山 秀樹1 (1.理研、2.埼玉大)
キーワード：
量子カスケードレーザ、窒化物半導体、テラヘルツ
GaN/AlGaN系テラヘルツ量子カスケードレーザにおいて，高エネルギー寄生準位を介したリーク電流が反転分布を阻害する機構を解析した。さらに，リーク電流抑制を目的とした量子構造設計を行い，3–10 THzの広い周波数帯域で光利得が得られる構造を提案した。