[10a-N101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[10a-N101-5] スパッタ・アニール法AlNテンプレート上への薄膜AlN/GaN HEMT作製

〇安井 幹薫¹、赤池 良太^1,2、安永 弘樹^2,3、正直 花奈子^1,2、三宅 秀人^1,2 (1.三重大院工、2.三重大 半導体・デジタル未来創造センター、3.三重大 研究基盤推進機構)

キーワード：

高電子移動度トランジスタ、有機金属気相成長法