講演情報
[10a-N101-7]RF-MBE法によるScAlMgO4基板上InGaN成長におけるInフラックス依存性
〇加藤 大奨1、西村 佳晃1、中本 トラン2、Islam Md Earul3、藤井 高志3、福田 承生4、杉江 隆一1、荒木 努1 (1.立命大理工、2.R-GIRO、3.立命館大総研、4.福田結晶技術研)
キーワード：
半導体
RF-MBE法によりScAlMgO₄基板上へInGaNを直接成長し、Inフラックスが結晶性と表面モフォロジーに与える影響を調べた。2.8～3.2×10⁻⁷ Torrで成長した試料をXRD、SEM、AFMで評価した結果、2.8×10⁻⁷ TorrではNリッチ、3.2×10⁻⁷ Torrではメタルリッチの傾向を示し、3.0×10⁻⁷ Torr近傍にストイキオメトリ条件が存在すると考えられた。