セッション詳細

[10a-N102-1~9]KS5 原子層プロセス研究会

2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:00
N102 (総合教育棟 N棟)

[10a-N102-1][分科内招待講演] 酸化物半導体の原子層堆積技術

〇髙橋 崇典1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大)

[10a-N102-2]マイクロ波リモートプラズマ源を用いた原子層堆積におけるIn2O3の成膜特性

〇丸谷 智1、玉井 駿広1、高橋 崇典2、浦岡 行治2 (1.堀場エステック、2.奈良先端大)

[10a-N102-3]毎時プラズマ処理を用いた室温原子層堆積法による酸化亜鉛薄膜の堆積と低温結晶化

〇小澤 孝介1、宮澤 諒1、三浦 正範1、有馬 ボシールアハンマド1、廣瀬 文彦1 (1.山形大院理工)

[10a-N102-4]連続吸着による複合酸化膜の室温原子層堆積:TDMATとTMAの競合吸着反応の観察

〇小林 元1、宮澤 諒1、三浦 正範1、有馬 ボシール アハンマド1、廣瀬 文彦1 (1.山形大院理工)

[10a-N102-5]プラズマ強化および熱原子層堆積法におけるAlOx薄膜の成長挙動の温度依存性

〇松尾 倖平1、古谷 直大1、上原 知起1、小林 貴之1 (1.サムコ株式会社)

[10a-N102-7]ALDプロセスにより形成される膜質分布を積極利用した高自由度な3次元加工形状制御

〇濱野 誉1、久保井 信行1、小林 正治1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社)

[10a-N102-8]ALDチャンバー設計における粒子到達傾向の簡易評価

〇稲田 明彦1、鹿又 健作1、佐藤 英児1 (1.(株)クリエイティブコーティングス)

[10a-N102-9]液体原料(Sn(EtCp)2)によるp型SnO薄膜の原子層堆積

〇水谷 文一1、高橋 伸尚1、澤田 朋実2、生田目 俊秀2 (1.高純度化学研、2.物材機構)