[10a-N102-1~9] KS5 原子層プロセス研究会

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[10a-N102-3] 毎時プラズマ処理を用いた室温原子層堆積法による酸化亜鉛薄膜の堆積と低温結晶化

〇小澤 孝介¹、宮澤 諒¹、三浦 正範¹、有馬 ボシールアハンマド¹、廣瀬 文彦¹ (1.山形大院理工)

キーワード：

室温原子層堆積法、酸化亜鉛、低温結晶化

フレキシブルデバイス応用に向けて、プラズマ処理を用いた原子層堆積法(RT-ALD)による酸化亜鉛(ZnO)薄膜の低温結晶化を試みた。熱処理の代替として、ALDの1サイクルごとにArイオンを直流バイアスで基板へ衝突させる「毎時プラズマバイアス処理」を導入した。結果、低温下で多結晶ZnO薄膜が得られ、さらに成長速度は0.204nm/cycleと通常の約4倍へと大幅に向上した。