[10a-N102-1~9] KS5 原子層プロセス研究会

11:45 〜 12:00

[10a-N102-9] 液体原料（Sn(EtCp)₂）によるp型SnO薄膜の原子層堆積

〇水谷 文一¹、高橋 伸尚¹、澤田 朋実²、生田目 俊秀² (1.高純度化学研、2.物材機構)

キーワード：

原子層堆積、酸化第一スズ、p型半導体

液体原料であるビスエチルシクロペンタジエニルスズ（Sn(EtCp)₂）とH₂Oを用いた原子層堆積（ALD）によって、SnO薄膜を作製した。1200サイクルALDで作製したSnO薄膜を用いてHall測定を実施したところ、p型半導体の特性を示した。