講演情報
[10a-PA3-2]キュバン型ヨウ化銅(I)錯体を用いた有機ELデバイスの作製と特性評価
〇松本 紡季1、伊藤 杏美1、冨田 亜未1、大川 新1、髙橋 直大1、鬼頭 宏任1、田中 仙君1、大久保 貴志1 (1.近畿大理工)
キーワード：
有機ELデバイス、ヨウ化銅(I)錯体、キュバン型錯体
Cu(I)錯体は低コストかつ優れた発光特性を有することから、発光材料として注目されている。中でも、キュバン型ヨウ化銅(I)錯体は、立体的なクラスター構造により濃度消光の抑制が期待される。本研究では、ホスフィン系配位子を有するキュバン型ヨウ化銅(I)錯体[Cu4I4(PPh2Th)3(CH3CN)]および[Cu4I4(PPh2ThIO)4]を発光層に用いた有機ELデバイスを作製し、特性評価を行った。