[10a-PB4-1~13] 3.12 半導体光デバイス

[10a-PB4-12] InP/Si基板上1.5 μm帯GaInAsP MQWリッジレーザ構造における銀ナノ粒子ボンディングによる発振特性改善

〇楽 榕¹、JIA QIGUANG¹、SHENG ZHIYANG¹、YAO SHUO¹、ZHANG RUIQI¹、WEI SHIYAO¹、SHEN JUNYU¹、ホルト 瑞樹¹、富永 幸輝¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：

InP/Si基板、リッジレーザ、銀ナノ粒子ボンディング

本研究では、Siフォトニクス光源への応用を目指し、InP/Si基板上に作製した1.5 μm帯GaInAsP MQWリッジレーザ構造の発振特性を評価した。リッジ構造による低しきい値電流発振を確認するとともに、銀ナノ粒子を用いたCu板へのダイボンディングにより、高Duty比動作およびCW発振実現への有効性を検討した。