講演情報
[10a-PB4-13]InP/Si親水性接合界面におけるボイド形成条件の数値解析
〇(M2)ZHANG RUIQI1 (1.上智大理工)
キーワード：
InP/Si親水性直接貼り付け、ギブズ自由エネルギー
Si基板上へのInP系光デバイス集積は、CMOS互換性と高効率発光デバイスの両立に有効である。一方、親水性直接貼付法で形成されるInP/Si接合界面では、貼付け時およびアニール過程においてボイドが発生・変化し、接合品質を左右する重要な因子となる。本研究では、ギブズ自由エネルギーに基づくボイド形成モデルを用い、圧力差Δpと臨界半径rcからアニーリングにおけるボイドの形成条件の数値解析を行った。