[10a-PB4-1~13] 3.12 半導体光デバイス

[10a-PB4-3] Si上Geエピタキシャル層を用いた近赤外イメージセンサの作製

〇畑佐 圭亮¹、吉野 雄貴¹、小椋 亮弥¹、Piedra-Lorenzana Jose A.¹、野田 佳子¹、赤井 大輔¹、飛沢 健¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：

ゲルマニウム、イメージセンサ、シリコン