[10a-PB4-1~13] 3.12 半導体光デバイス

[10a-PB4-4] SOQ上ひずみ増強Ge pin受光器におけるリーク電流の評価

〇石川 涼太¹、小椋 亮弥¹、松下 宗暉¹、濱田 直希¹、Piedra-Lorenzana Jose A.¹、飛沢 健¹、梅沢 俊匡²、山本 直克²、赤羽 浩一²、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大、2.NICT)

キーワード：

シリコン上ゲルマニウム、受光器、格子ひずみ