[10a-PB4-1~13] 3.12 半導体光デバイス

[10a-PB4-9] シリコン基板上GaInAsP/InP量子井戸レーザのpクラッド層の最適化

〇富永 幸輝¹、黒井 瑞生¹、ホルト 瑞樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大学)

キーワード：

半導体、レーザダイオード、MOVPE

本研究では、IoT・AIの普及で増大する情報処理の低消費電力化に向け、Si基板上へ光デバイスを集積化するシリコンフォトニクスに着目した。InP/Si基板およびInP基板上のGaInAsP/InP量子井戸レーザについて、pクラッド層のキャリア濃度と層厚比を変更し、MOVPE後の発振特性を評価した。その結果、層厚比の最適化により平均しきい値電流密度が低下し、ばらつきも抑制される有効性を実験的に示した。