講演情報
[10a-S1-1][第60回講演奨励賞受賞記念講演] フローティング電極を形成したトレンチフィールドプレートパワーMOSFETにおけるセルフターンオン現象の解析
〇星田 悟志1、石井 大智1、徳山 周平1、西口 俊史1、原 琢磨1、前山 賢二1、可知 剛1、加藤 浩朗1 (1.東芝デバイス＆ストレージ株式会社)
キーワード：
トレンチフィールドプレートパワーMOSFET、セルフターンオン、フローティング電極
低耐圧（<300 V）のSiパワーMOSFETでは，同一トレンチ内に互いに絶縁されたゲート電極とソースフィールドプレート電極を形成した構造が広く用いられている．これまでの研究でソースフィールドプレートの一部をフローティング電極に置換することにより寄生容量の低減効果を実証した．本研究では，この提案構造におけるセルフターンオン現象を解析し，寄生容量低減がセルフターンオン抑制に寄与することを明らかにした．