2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[10a-S1-1~9]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2026年9月10日(木) 9:00 〜 11:15
S1 (総合教育棟 S講義棟)
9:00 〜 9:15

[10a-S1-1][第60回講演奨励賞受賞記念講演] フローティング電極を形成したトレンチフィールドプレートパワーMOSFETにおけるセルフターンオン現象の解析

〇星田 悟志1、石井 大智1、徳山 周平1、西口 俊史1、原 琢磨1、前山 賢二1、可知 剛1、加藤 浩朗1 (1.東芝デバイス＆ストレージ株式会社)
9:15 〜 9:30英語発表

[10a-S1-2][The 60th Young Scientist Presentation Award Speech] Study On the Statistical Variability of High-Performance Crystalline InGaOx Nanosheet Oxide Semiconductor FETs

〇Xingyu Huang1, Kota Sakai1, Anlan Chen1, Takanori Takahashi2, Mutsunori Uenuma3, Yukiharu Uraoka2, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1, Masaharu Kobayashi1 (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.NAIST, 3.AIST)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー英語発表

[10a-S1-3]Temperature-dependent Device Characteristics and Reliability of Selectively Crystallized InGaOx GAA Nanosheet FETs

〇(D)Anlan Chen1, Kiwoong Park1, Kota Sakai1, Xingyu Huang1, Masaharu Kobayashi1 (1.IIS, Univ. of Tokyo)
9:45 〜 10:00英語発表

[10a-S1-4]Low-Field Carrier Transport in Amorphous and Polycrystalline InGaOx FETs Investigated by Gated Hall Measurement

〇(D)Anlan Chen1, Xingyu Huang1, Kota Sakai1, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1, Mutsunori Uenuma2, Takanori Takahashi3, Yukiharu Uraoka3, Masaharu Kobayashi1 (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.AIST, 3.NAIST)
10:00 〜 10:15英語発表

[10a-S1-5]High-Field Carrier Transport and Velocity Saturation in Short-Channel InGaOx FETs

Xingyu Huang1, 〇(D)Anlan Chen1, Kota Sakai1, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1, Mutsunori Uenuma2, Takanori Takahashi3, Yukiharu Uraoka3, Masaharu Kobayashi1 (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.AIST, 3.NAIST)
10:15 〜 10:30英語発表

[10a-S1-6]Theoretical Investigation of Surface Orientation Dependent Donor Defect Formation in In2O3

〇Chitra Pandy1, Masaharu Kobayashi1 (1.The University of Tokyo)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー英語発表

[10a-S1-7]Enhancement-Mode Monolayer WSe2 pFETs with Record ION/IOFF at Contact Length of 30 nm

〇(D)Su Eric YuanChun1,2, Vincent Tung2, Tsung-En Lee1, Masaharu Kobayashi1 (1.Univ. of Tokyo, 2.National Yang Ming Chiao Tung Univ.)
10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[10a-S1-8]Si(110)微傾斜基板上のn-MOSFETにおける電気特性評価

〇志村 瞭太朗1、陳 育同1、松本 光二2、鈴木 陽洋2、山本 博昭2、松川 和人2、竹中 充1、高木 信一1,3、ﾄｰﾌﾟﾗｻｰﾄﾎﾟﾝ ｶｼﾃﾞｨｯﾄ1 (1.東大院工、2.株式会社SUMCO、3.帝京大)
11:00 〜 11:15

[10a-S1-9]Ge-Bi-Te S/D コンタクトを有する高性能GeOI (111) nMOSFETs

〇張 文馨1、畑山 祥吾1、岡田 直也1、入沢 寿史1、前田 辰郎1、齊藤 雄太2,1 (1.産総研SFRC、2.東北大)
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