[10a-S1-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

11:00 〜 11:15

[10a-S1-9] Ge-Bi-Te S/D コンタクトを有する高性能GeOI (111) nMOSFETs

〇張 文馨¹、畑山 祥吾¹、岡田 直也¹、入沢 寿史¹、前田 辰郎¹、齊藤 雄太^2,1 (1.産総研SFRC、2.東北大)

キーワード：

Ge、Bi2Te3、MOSFET