講演情報
[10a-S2-11]準安定層状半導体SiTe2によるトランジスタ機能の発現
〇外池 巧樹1、金 美賢1、齊藤 雄太2,1 (1.東北大院工、2.東北大GXT)
キーワード：
二次元材料、シリコンダイテルライド、準安定
次世代のトランジスタ開発に向けて，層状物質による純粋なP型挙動の発現は急務である。本研究は準安定相にも視野を広げ材料開発を行う。準安定層状物質であるSiTe2は，半導体特性が報告されているが，大面積成膜技術は乏しい。そこで，スパッタアモルファスを熱処理し結晶化させることで，大面積成膜を試みた。作製したトランジスタはP型挙動を示した。本発表では更にデバイス性能の改善について説明する。