講演情報
[10a-S2-7]多段 TMDC ナノシート構造の一括形成プロセス
〇成 浩1、田邉 真一1、岡田 直也2、入沢 寿史2、三浦 仁嗣1、藁科 尚士1、黄 祐敏1、長坂 恵一1、深澤 篤毅1、前原 大樹1 (1.東京エレクトロン（株）、2.産総研 先端半導体研究センター)
キーワード：
TMDC、ナノシート、MoS2
半導体デバイスの集積化に伴い、Si ナノシートを基板垂直方向に多段に積層した GAA (Gate-All-Around)トランジスタへの移行とともに、Si に変わるチャネル材料としてMoS2 を代表とした遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC) の活用が検討されている。TMDC は大面積成膜手法に加えて、ナノシート構造の作製が課題となっている。これまでに、我々はThree-Step Conversion (3SC) 法により初期膜のカルコゲン化アニールと結晶化アニールによる TMDC のウェーハスケール形成手法を実証した。今回、この手法を利用して多段の TMDC ナノシート構造作製に成功したことを報告する。