[10p-A21-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:00 〜 14:15

[10p-A21-1] GaN-HEMTのUISとCISにおける過電圧ストレスに対する挙動比較

〇齋藤 渉¹、西澤 伸一¹ (1.九大応力研)

キーワード：

GaN-HEMT、過電圧ストレス、アバランシェ降伏

GaN-HEMTは、低オン抵抗・高速スイッチングにより高効率な電力変換を実現するパワーデバイスとして実用化が始まっている。しかし、高電圧印加によりアバランシェ降伏が発生すると、素子が破壊するという問題がある。これまでに、繰り返し過電圧ストレス印加試験によるGaN-HEMTの破壊過程が報告されている。本発表では、Unclamped Inductive Switching (UIS)とClamped Inductive Switching (CIS)における過電圧印加に対する挙動を比較することで、GaN-HEMTの過電圧破壊におけるキャリアの影響について解析した結果について報告する。