講演情報
[10p-A21-11]歪超格子を用いたSi基板上AlGaN/GaN HEMTにおける縦方向耐圧特性
〇吉野 雅人1、南條 拓真1、古橋 壮之2、綿引 達郎2、江川 孝志1 (1.名古屋工業大学、2.三菱電機 先端総研)
キーワード：
AlGaN/GaN HEMT、歪超格子、パワーデバイス
Si基板上AlGaN/GaN HEMTの縦方向耐圧向上を目的に、歪超格子（SLS）構造を用いたデバイスを作製し、表面電極とSi基板間の電流‐電圧特性を評価した。その結果、順方向・逆方向の双方で1 kVを超える耐圧を確認した。また、逆方向で大きなリーク電流が観測され、SLS界面の分極電荷による内部電界がキャリア輸送特性に影響を与えていることを示した。さらに、SLS構造が縦方向電圧保持に有効であることを明らかにした。