講演情報
[10p-A21-14]極薄AlGaN/GaN構造を用いた2DEG濃度制御における構造・プロセス依存性調査
〇(M1)宮崎 奨佑太1、南條 拓真1、古橋 壮之2、綿引 達郎2、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大工、2.三菱総研)
キーワード：
半導体
極薄AlGaN/GaNを用いたEID構造における、二次元電子ガス（2DEG）濃度の構造・プロセス依存性を検証した。Si基板上のエピ層にSiO2やAl2O3膜を堆積し、熱処理条件を変えてホール特性を評価した結果、条件の違いで2DEG濃度が最大5倍変化することを確認した。この変化は誘電膜堆積に伴う表面ピニングエネルギーの違いに起因し、移動度の変化には表面ラフネスが影響している可能性を示した。