講演情報
[10p-A21-15]AlGaNキャップ層による電流コラプス現象の抑制メカニズム
〇西村 宗悟1、中里 佑介1、清原 一樹1、三浦 孝祐1、斉藤 貴大1、上田 晋太郎1、吉岡 啓1 (1.東芝デバイス＆ストレージ)
キーワード：
パワーデバイス、GaN HEMT、電流コラプス
GaN-HEMTは低オン抵抗と低容量を両立した高耐圧デバイスが実現可能であり、次世代パワーデバイスとして期待されている。一方で、GaN-HEMTでは高電圧印加時の電界集中によって発生する電子トラップにより、オン抵抗が増加する電流コラプス現象が課題となっている。我々はこれまでに、高Al組成の薄いAlGaNキャップ層を形成することで電流コラプス現象が抑制されることを確認しており、本報告ではその抑制メカニズムの調査結果について報告する。