講演情報
[10p-A21-18]XPS界面近傍組成に基づくAlGaInN/AlN/GaNヘテロ構造の高濃度2DEG評価
〇脇迫 諒1、山田 悠斗1、田中 敦之2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)
キーワード：
半導体、GaN-HEMT、AlGaInN
AlGaInNはAl組成とIn組成の2つの組成自由度を有し，分極電荷と格子定数を独立に制御できるため，GaN‐HEMTの新規バリア層材料として期待されている．本研究では，MOVPE成長時のTMA気相比制御によりAlGaInN組成を変化させたAlGaInN/AlN/GaNヘテロ構造に対し，XPSによる界面近傍組成評価とHall測定を行い，高濃度2DEG形成と低シート抵抗化を実証した．