講演情報
[10p-A21-3]GaN HEMT の RF 大信号動作時のチャネル温度評価
〇久樂 顕1、山口 裕太郎1、坂田 修一1 (1.三菱電機)
キーワード：
GaN HEMT、チャネル温度、大信号動作
GaN HEMTの大信号動作時のチャネル温度評価手法を確立したので報告する。ソースフィールドプレートに低電圧を印加し、抵抗値から温度を評価した。ステージ温度25～150℃における大信号動作時のチャネル温度を評価し、入力電力が大きくなるにつれて、チャネル温度が上昇していることを確認した。また、ロードプル評価時の効率コンターとチャネル温度コンターを取得し、効率が下がると温度が上昇する関係を確認した。