講演情報
[10p-A21-5]放熱性のさらなる向上に向けた窒化物半導体薄層/Diamond接合
〇(M2)岩本 晃1、凌 旭良1、重川 直輝1 (1.大阪公大工)
キーワード：
窒化物半導体、ダイヤモンド、表面活性化接合
我々はこれまで、表面活性化接合法によりダイヤモンド上へ転写した窒化物半導体層を用いてGaN HEMTを作製し、熱抵抗の低減を実証してきた。本研究では、放熱設計の最適化に向け、Si (111)上にAlNバッファ層を介して成長されたAlGaN/GaNヘテロ構造を薄層化し、単結晶ダイヤモンド基板上へ転写した。