[10p-A23-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

14:00 〜 14:15

[10p-A23-1] InGaAs メタモルフィック層上における InAs 量子ドットレーザの共振器方向依存性

〇權 晋寛^1,2、井上 博輝²、角田 雅弘²、松本 淳¹、山本 直克¹、赤羽 浩一¹、荒川 泰彦² (1.NICT、2.東大)

キーワード：

量子ドットレーザ、量子ドット、分子線エピタキシー

GaAs基板上に形成されたInAs量子ドットレーザは、低い閾値電流密度、高い温度安定性、および結晶欠陥に対する高い耐性を有することから注目されている。InAs/GaAs量子ドットは本質的にO-band領域での発光するため、発光波長を長波長化する手法として、InGaAsメタモルフィックバッファ層が広く用いられている。GaAs(001)基板上に成長したInGaAsメタモルフィックバッファ層は、[110]方向および[1-10]方向に対して面内異方性を示す。端面発光型レーザにおいては、このような非対称な欠陥分布が方向依存的な散乱損失や非輻射再結合を引き起こし、デバイス特性にも共振器方位依存性をもたらす可能性がある。本研究では、偏光分解フォトルミネッセンス測定およびFabry–Perotレーザの共振器方位依存性評価を行い、InAs量子ドットレーザにおける共振器方位依存性について検討したので報告する。