[10p-A23-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

16:30 〜 16:45

[10p-A23-10] Si基板上のInAsナノワイヤからの横方向成長によるInAs薄膜成長(2)

〇海津 利行^1,2、宮下 直也^2,1、山口 浩一^2,1 (1.電通大量子未来創生デバイス開発センター、2.電通大基盤理工)

キーワード：

ナノワイヤ、横方向成長、フォトルミネッセンス