[10p-A23-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

16:45 〜 17:00

[10p-A23-11] ドロップレットエッチングを用いたSiO_x/Si(111)ウエハ上Pure Zinc-Blende GaAsナノワイヤの自己触媒成長

〇峰久 恵輔¹、谷保 芳孝²、平間 一行²、熊倉 一英¹、石川 史太郎¹ (1.北大量集セ、2.NTT物性研)

キーワード：

ナノワイヤ、III–V族化合物半導体、分子線エピタキシー