[10p-A23-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

17:30 〜 17:45

[10p-A23-13] 金属/絶縁体マスクSi上のInGaAsナノワイヤ成長収率向上の検討

〇谷山 慶太¹、渡辺 仁¹、東 佑樹¹、冨岡 克広¹ (1.北大院情報科学および量子集積センター)

キーワード：

III-V族、ナノワイヤ