講演情報
[10p-A23-4]サブモノレイヤー積層法における成長中断による量子ディスク作製
〇奥泉 陽斗1、ノエル フォン ヴァッテンヴィル2、シモン レニッシュ1、ロカ ロネル1、神谷 格1 (1.豊田工大、2.チューリッヒ工科大学)
キーワード：
量子構造、フォトルミネッセンス、原子間力顕微鏡
InAsとGaAsを交互積層するサブモノレイヤー（SML）積層法は、通常は堆積膜厚と速度で成長制御を行う。本研究では、この切り替え時に成長中断（GI）を導入し成長機構を検討した。30秒のGIを導入した試料の蛍光スペクトルには882nmの長波長なピークが見られた。この結果より、GI導入によって局所的にIn組成分布の高い場所ができ、量子ディスクが形成されたことが示唆された。