[10p-A23-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[10p-A23-8] GaNAsシェル膜厚を変化させたGaAs/GaNAs/GaAsコア–マルチシェルナノワイヤの歪評価

〇塩見 悠介^1,2、佐野 真浩^1,2、峰久 恵輔^1,2、石川 史太郎¹ (1.北大量集セ、2.北大情科院)

キーワード：

ナノワイヤ、分子線エピタキシー

本講演では、GaNAsシェル膜厚を0–125 nmで変化させたGaAs/GaNAs/GaAsコア–マルチシェルナノワイヤをMBE法で成長し、発光・光吸収特性および歪状態の膜厚依存性を評価した。RSM測定では、膜厚増加に伴いGaAs由来の単一回折ピークがQx, Qz方向に変化し、平均格子間隔が面内・面直方向ともに縮小する歪状態を観測した。円柱近似弾性歪モデルにより、このピーク位置変化を考察した。