講演情報
[10p-B12-1]LHARテスト構造を用いたイメージングエリプソメトリーによるALD‐Al2O3膜厚均一性評価
〇西里 洋1、石田 栞大1、中家 佑吾2、奈須 錦一3、平山 幹朗3、金 蓮花4、百瀬 健3 (1.熊大自、2.堀場エステック、3.熊大半導体、4.山梨大院総合)
キーワード：
原子層堆積法、イメージングエリプソメトリー
内作したイメージングエリプソメトリーと横方向高アスペクト比（Lateral High Aspect Ratio: LHAR）テスト構造を組み合わせ、薄膜形成における3次元（3D）構造への膜の浸透深度（Penetration Depth: PD）を定量的に評価する新たな手法を開発した。テスト構造には、Si基板端部に広く浅い溝を設けた後に石英プレートを被せた平行平板構造（アスペクト比: 300）を用いた。その後、トリメチルアルミニウム（TMA）とH₂Oを用いたAl₂O₃-ALDにおいて有効性を確認した。