セッション詳細
[10p-B12-1~7]KS5 原子層プロセス研究会
2026年9月10日(木) 14:00 〜 15:45
B12 (工学部 B棟)
[10p-B12-1]LHARテスト構造を用いたイメージングエリプソメトリーによるALD‐Al2O3膜厚均一性評価
〇西里 洋1、石田 栞大1、中家 佑吾2、奈須 錦一3、平山 幹朗3、金 蓮花4、百瀬 健3 (1.熊大自、2.堀場エステック、3.熊大半導体、4.山梨大院総合)
[10p-B12-2]in-situ XPSによるTDMAS/O3 SiO2 ALDの初期酸化過程の直接観測
〇(D)土射津 佑起1、大堀 大介2、大塚 照久3、山崎 将嗣3、有本 宏3、遠藤 和彦1 (1.東北大学流体研、2.関西大学システム理工、3.産総研)
[10p-B12-3]iCVDを用いたポリマー選択成膜
〇市木 和弥1、東雲 秀司1 (1.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)
[10p-B12-4]ランダム逐次吸着計算による領域選択的原子層堆積の最適阻害剤設計
〇宮城 晴英1、嶋田 省吾1、清野 篤郎1、中谷 公彦1、柄澤 元1、佐々木 隆史1 (1.株式会社 KOKUSAI ELECTRIC)
[10p-B12-5]オリジナル自己組織化単分子膜による金属表面の吸着安定化とALD‑TaN成長阻害
〇小松 裕之1、柴田 理古1、若林 宣彰1、亀井 康孝1、赤木 壮一郎2、横山 皓太2、田井 祐吾2 (1.JSR、2.JEMT)
[10p-B12-6]SiN-ALDにおけるヒドラジンと阻害剤を用いた選択性の制御
〇村田 逸人1,2、大山 皓介2、長谷川 美紀子2、安齊 廷玄2、清水 秀治2、平山 幹朗3、百瀬 健3 (1.熊大院自、2.日本酸素株式会社、3.熊大半導体)
[10p-B12-7]インヒビターを用いたMoボトムアップフィルの検討
〇永井 総雅1、佐藤 登1、大髙 雄平1、玉置 直樹1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
