講演情報
[10p-B12-4]ランダム逐次吸着計算による領域選択的原子層堆積の最適阻害剤設計
〇宮城 晴英1、嶋田 省吾1、清野 篤郎1、中谷 公彦1、柄澤 元1、佐々木 隆史1 (1.株式会社 KOKUSAI ELECTRIC)
キーワード：
領域選択的原子層堆積、ランダム逐次吸着、阻害剤
OH終端SiO2表面上で阻害剤（MoF6、DMATMS）と前駆体（EDOT、SbCl5）の吸着をランダム逐次吸着（RSA）計算で解析した。阻害剤の照射順がSbCl5吸着量に大きく影響することを示した。例：DMATMS→MoF6→SbCl5とMoF6→DMATMS→SbCl5では、ぞれぞれ85%、82%のSbCl5の吸着抑制を確認。これは水接触角測定結果(文献)と整合。最適阻害剤選定と照射順への設計指針を提示する。