講演情報
[10p-B12-5]オリジナル自己組織化単分子膜による金属表面の吸着安定化とALD‑TaN成長阻害
〇小松 裕之1、柴田 理古1、若林 宣彰1、亀井 康孝1、赤木 壮一郎2、横山 皓太2、田井 祐吾2 (1.JSR、2.JEMT)
キーワード：
自己組織化単分子、選択阻害・選択成長制御、選択的表面修飾
先端BEOLにおける配線抵抗低減と信頼性確保には、バリア/ライナーの薄膜化と選択成長制御が不可欠である。本講演ではCuおよびMoシード層を想定し、ALD-TaN核生成を選択的に抑制する前処理材料として、オリジナル自己組織化単分子（SAM）を設計・合成・評価した。分子設計の要点は、(i) 水系プロセスに適合する高溶解性・取扱性、(ii) CuおよびMoシード表面への高親和・高被覆、(iii) ALD前後の熱・化学環境下での膜安定性、(iv) ALD-TaNプリカーサーに対する吸着阻害能である。本稿ではこれら設計指針に基づく選択的成長制御の結果を報告する。