[10p-B12-1~7] KS5 原子層プロセス研究会

15:15 〜 15:30

[10p-B12-6] SiN-ALDにおけるヒドラジンと阻害剤を用いた選択性の制御

〇村田 逸人^1,2、大山 皓介²、長谷川 美紀子²、安齊 廷玄²、清水 秀治²、平山 幹朗³、百瀬 健³ (1.熊大院自、2.日本酸素株式会社、3.熊大半導体)

キーワード：

原子層堆積法、選択成長、ヒドラジン

これまでに、ヒドラジン (N2H4)を用いたSiN-ALDにおいて、既存窒化剤アンモニア (NH3) 比で、スループットと選択性が向上することを見出した。本研究ではN2H4のさらなるSiN-ALDの選択性向上のため、阻害剤としてTMSDMA (N,N-Dimethylaminotrimethylsilane) を用い、量子化学計算による吸着特性と選択性を評価した。