講演情報
[10p-B12-7]インヒビターを用いたMoボトムアップフィルの検討
〇永井 総雅1、佐藤 登1、大髙 雄平1、玉置 直樹1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
キーワード：
モリブデン、ボトムアップフィル、阻害剤
次世代ULSIデバイスの配線材料としてMoが期待されている。ボトムアップフィルプロセスは高アスペクト比構造への完全な埋め込みと低抵抗な配線形成に重要である。トレンチ上部の製膜を抑制することで底部を優先的に成長させるプロセスについて報告する。今回は原料であるMo(CO)6の吸着を阻害するインヒビターとしてNH3とH2について比較検討を行った。