[10p-C309-1~15] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

14:00 〜 14:15

[10p-C309-1] AlN 可変応力膜を用いた Si 上 Ge 細線構造の格子ひずみ制御

〇松下 宗暉¹、Piedra-Lorenzana Jose A.¹、飛沢 健¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：

ゲルマニウムエピタキシャル層、格子ひずみ、窒化アルミニウム