[10p-C309-1~15] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

14:15 〜 14:30

[10p-C309-2] 表面照射型受光器応用に向けたSi上Ge層のトレンチ埋め込み成長

〇野崎 颯¹、Piedra-Lorenzana Jose A.¹、赤井 大輔¹、飛沢 健¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：

ゲルマニウムエピタキシャル層、トレンチ埋め込み成長、近赤外受光器