講演情報

14:45 〜 15:00

[10p-C309-4]p型Ge/ICO:H界面における高ショットキー障壁の温度依存性

〇前田辰郎¹、石井裕之¹、陳家驄¹、Rahmat Hadi Saputro¹、鯉田崇¹、張文馨¹ (1.産総研)

ゲルマニウム、フェルミレベルピニング

本研究では、空乏層容量を通じて内在電位を評価できるC–V特性の温度依存性から、ICO:H/p型Ge接合における高障壁形成が、界面準位への強い固定ではなく、Geのバンド端に結びついた障壁形成に由来することを示した。