講演情報

[10p-C309-6]PN接合型Ge1-xSnx赤外線検出器の検出特性に及ぼすSi-cap層の影響

〇矢嶋 太陽1、田中 朋3、R. H. Saputro4、石井 裕之4、柴山 茂久1、黒澤 昌志1、坂下 満男1、中塚 理1,2、前田 辰郎4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.日本電気、4.産総研)

キーワード:

GeSn、パッシベーション、光検出器