[10p-C309-1~15] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[10p-C309-7] スパッタリング法によるSi基板上への高結晶性Ge_0.80Sn_0.20エピタキシャル成長

〇後藤 幸作¹、柴山 茂久¹、田中 朋²、大森 康智²、R. H. Saputro³、石井 裕之³、前田 辰郎³、坂下 満男¹、黒澤 昌志¹、中塚 理^1,4 (1.名大院工、2.NEC、3.AIST、4.名大未来研)

キーワード：

GeSn、スパッタリング法、歪緩和