講演情報
[10p-C309-8]ジルコニウム(Zr)添加ゲルマニウム(Ge)混晶の成長提案
〇(M1)田嶋 天晴1、母良田 友1、川端 勇士1、石川 靖彦1、山根 啓輔1 (1.豊橋技科大工)
キーワード：
ゲルマニウム、シリコンフォトニクス、分子線エピタキシー法
シリコンフォトニクス向け発光材料として注目されるGeに、Zrを添加した新規GeZr混晶の結晶成長を提案する。MBE法で600℃～800℃成長を行い、各種測定手法で評価した。800℃ではGeZr由来の回折ピークとRHEEDストリークが得られ、RMS粗さ0.71nmの平坦な単結晶成長および組成レベルのZr添加を確認した。一方、600℃では回折ピークが得られず、点欠陥形成が示唆された。