講演情報
[10p-C309-9]新規バンドエンジニアリングに向けた高GaSb組成GaGeSb混晶の成長
〇母良田 友1、鈴木 風雅1、川端 勇士1、石川 靖彦1、山根 啓輔1 (1.豊橋技科大工)
キーワード：
ゲルマニウム、分子線エピタキシー法、バンドエンジニアリング
新たなバンドエンジニアリングとしてGeを母材としたGaGeSb混晶の高組成化に向け、固体分子線エピタキシー法による結晶成長の最適化を行った。実験の結果、Gaの添加がSb濃度の向上に寄与する一方、高温ではGaドロップレット形成やSbの脱離、低温では表面の平坦性悪化が課題となることが判明した。高品質な結晶性と高組成化を両立するためには温度制御が重要であることを明らかにした。