[10p-E101-1~11] 強誘電性半導体研究の最前線

15:35 〜 16:05

[10p-E101-6] 強誘電性窒化物半導体の分極制御による光集積デバイス開発

〇片山 竜二¹、上向井 正裕¹、谷川 智之² (1.阪大院工、2.名城大理工)

キーワード：

強誘電性半導体、波長変換器、位相変調器

未踏波長光源や光集積回路に向け、窒化物半導体の分極制御を利用した波長変換素子と位相変調器を開発してきた。中でも強誘電体ScAlNは極めて高い物性値を持ち、両素子に優位なプラットフォームとなる。本講演では、横型QPM構造による遠紫外SHGやその結晶方位反転フリー化の試みと、InGaN導波路を用いた位相変調の実証等の最新成果を紹介し、ScAlN適用による劇的な高効率・小型化や低電圧駆動への展望を述べる。